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射频功率晶体管
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BLF177

NXP射频功率晶体管BLF177

场效应管 MOSFET VHF SOT121

  • 晶体管类型: RF MOSFET
  • 电压, Vds 最大: 125V
  • 电流, Id 连续: 16A
  • 功耗, Pd: 220W
  • 封装类型: SOT-121B
  • 针脚数: 4
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 典型增益带宽, ft: 28MHz
  • 功耗, Pd: 220W
  • 功耗最大值: 220W
  • 器件标号: 1
  • 在电阻RDS（上）: 200mohm
  • 封装/箱盒: SOT-121
  • 封装类型: SOT-121
  • 晶体管数: 1
  • 晶体管极性: N沟道
  • 用途代码: RFPOWMOS
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 125V
  • 电流, Idss 最大: 2.5mA
  • 通态电阻最大值: 300mohm
  • 针脚格式: D(1), S(2&4), G(3)
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 4.5V
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